問題パワー半導体デバイスに関する記述として、誤っているものはどれか。
- aパワーMOSFETは電流駆動形の素子であり、オン状態を維持するためゲートに連続的に大きな電流を流し続ける必要がある。
- bGTOサイリスタは、ゲートに大きな逆方向電流を流すことによってターンオフさせることができる。
- cIGBTは、ゲート部にMOSFET構造、出力部にバイポーラトランジスタ構造をもつ複合的な素子である。
- dダイオードは2端子素子で、順方向にのみ電流を流し逆方向の電流を阻止する。
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正解：a. パワーMOSFETは電流駆動形の素子であり、オン状態を維持するためゲートに連続的に大きな電流を流し続ける必要がある。
パワーMOSFETは絶縁ゲートをもつ電圧駆動形素子で、ゲート・ソース間に電圧を加えるだけで導通が維持でき、定常状態のゲート電流はほぼ零である。したがって電流駆動形で連続的な大電流を要するとする記述が誤り。ダイオードが順方向のみ導通する2端子素子であること、GTOサイリスタがゲートに逆方向電流を流して自己消弧できること、IGBTがMOSFET構造とバイポーラ構造を組み合わせた素子であることは、いずれも正しい記述である。
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