問題IGBT（絶縁ゲートバイポーラトランジスタ）の特徴を説明したものとして、最も適切なものはどれか。
- aゲート信号でオンにはできるがオフにはできない素子であり、電流を零にして消弧するための転流回路を外部に別に設ける必要がある。
- bpn接合を一つだけもつ2端子素子であり、ゲートをもたず、順方向にのみ電流を流す整流作用によってスイッチングを行う。
- c絶縁ゲートによる電圧駆動形であるためゲート駆動電力が小さく、かつ伝導度変調によって低いオン電圧が得られる自己消弧形素子である。
- d電流駆動形の素子であり、オン状態を維持するために大きなベース電流を流し続ける必要があるため、駆動回路の損失が大きくなる。
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正解：c. 絶縁ゲートによる電圧駆動形であるためゲート駆動電力が小さく、かつ伝導度変調によって低いオン電圧が得られる自己消弧形素子である。
IGBTはMOSFETの絶縁ゲート構造とバイポーラトランジスタの出力構造を組み合わせた3端子の自己消弧形素子で、ゲート電圧で制御できるため駆動電力が小さく、伝導度変調により大電流でもオン電圧が低い。オン維持にベース電流が必要とする記述はバイポーラトランジスタの性質であり誤り。ゲートでオフできず転流回路を要するとする記述は逆阻止三端子サイリスタの性質で、自己消弧形のIGBTには当てはまらない。pn接合一つの2端子素子はダイオードの説明であり、IGBTの構造とは異なるため誤り。
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