問題エンハンスメント形nチャネルMOSFETの動作に関する記述として、正しいものはどれか。
- aゲート電圧が0Vのときドレイン電流は最大となり、正のゲート電圧を大きくするほどチャネルが狭まって電流は減少する
- bゲート電圧が0Vでもあらかじめ形成されたチャネルにドレイン電流が流れ、負のゲート電圧を加えると電流が減少する
- cゲート電圧が0Vのときドレイン電流はほとんど流れず、正のゲート電圧を加えるとチャネルが形成されて電流が流れる
- dゲート電極は酸化膜を介さず半導体と直接接触しているので、動作中は直流のゲート電流が常に流れ、入力抵抗は低い
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正解：c. ゲート電圧が0Vのときドレイン電流はほとんど流れず、正のゲート電圧を加えるとチャネルが形成されて電流が流れる
エンハンスメント形はあらかじめチャネルが存在せず、ゲートにしきい値電圧を超える正電圧を加えるとp形基板の表面に電子が誘起されてnチャネルが形成され、初めてドレイン電流が流れる。ゲート電圧を大きくするほど電流は増加するので、この記述が正しい。ゲート電圧0Vで電流が流れ負電圧で減るのはデプレション形の特徴である。MOSFETのゲートは酸化膜で絶縁されており半導体と直接接触せず、直流のゲート電流は流れない。正のゲート電圧で電流が減少するとする記述も、nチャネル形の動作と逆であるため誤りである。
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