pn接合に関する記述として

電験三種理論:電子理論・電気計測」の練習問題 問3(全47問)。正解と解説つき。設備資格ドリル編集部が作成し、独立した検証を経て公開しています。4択の演習モードで解きたい方は電験三種のドリルへ。

問題データ最終更新 2026-08-09

問題pn接合に関する記述として、誤っているものはどれか。

  1. a順方向電圧を加えると電位障壁が低くなり、多数キャリヤが接合を越えて流れるため電流が増加する
  2. b拡散電位の大きさは、ゲルマニウムよりもシリコンのほうが大きい
  3. c逆方向電圧を大きくすると空乏層の幅は狭くなり、接合容量は増加する
  4. d熱平衡状態では接合部付近にキャリヤのほとんどない空乏層ができ、電位障壁(拡散電位)を生じる
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正解:c. 逆方向電圧を大きくすると空乏層の幅は狭くなり、接合容量は増加する

逆方向電圧を大きくすると接合部の電界が強まってキャリヤがさらに追い出されるため、空乏層の幅は「広くなる」。空乏層は誘電体、その両側の中性領域は電極とみなせるので、幅が広がると接合容量は「減少」する。したがって幅が狭くなり容量が増加するとする記述は誤りである。空乏層と拡散電位が生じること、順方向電圧で電位障壁が下がり多数キャリヤの拡散電流が増えること、拡散電位がバンドギャップの大きいシリコン(約0.7V)のほうがゲルマニウム(約0.3V)より大きいことは、いずれも正しい。

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