真性半導体のシリコンに微量の不純物を添加してn形半導体をつ…

電験三種理論:電子理論・電気計測」の練習問題 問1(全47問)。正解と解説つき。設備資格ドリル編集部が作成し、独立した検証を経て公開しています。4択の演習モードで解きたい方は電験三種のドリルへ。

問題データ最終更新 2026-08-09

問題真性半導体のシリコンに微量の不純物を添加してn形半導体をつくりたい。添加する不純物元素として適切なものはどれか。

  1. aりん(P)
  2. bほう素(B)
  3. cインジウム(In)
  4. dガリウム(Ga)
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正解:a. りん(P)

シリコンは4価の元素であり、これに5価の元素を加えると共有結合に使われない価電子が1個余り、これが自由電子となって多数キャリヤになる。りんは5価であるからドナーとして働き、n形半導体が得られるので正しい。ほう素、インジウム、ガリウムはいずれも3価の元素であり、価電子が1個不足して正孔を生じるアクセプタとして働く。これらを添加すると多数キャリヤが正孔であるp形半導体になるため、n形をつくる目的には適さず誤りである。

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