次のパワー半導体デバイスのうち、一般にスイッチング周波数を…

正解：c. パワーMOSFET

パワーMOSFETは多数キャリヤのみで動作するユニポーラ素子であり、少数キャリヤの蓄積による遅れがないため、ここに挙げた素子の中で最も高速なスイッチングが可能で、数百kHz程度まで使用される。逆阻止三端子サイリスタは自己消弧できず転流に時間を要するため最も低速であり誤り。GTOサイリスタは自己消弧できるがターンオフ時間が長く、数kHz程度が限度であるため誤り。IGBTはMOSFETより低速で、テール電流のため数十kHz程度が実用範囲であり、MOSFETには及ばないため誤り。