問題半導体メモリに関する記述として、正しいものはどれか。
- aSRAMは、コンデンサに蓄えた電荷で情報を記憶するため、一定時間ごとにリフレッシュ動作が必要である
- bDRAMは、フリップフロップ回路で情報を記憶するため、リフレッシュ動作が不要で高速に動作する
- cマスクROMは、使用者が電気的に何度でも内容を書き換えることができる不揮発性メモリである
- dフラッシュメモリは、電源を切っても記憶内容が保持される不揮発性メモリで、電気的に書き換えができる
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正解:d. フラッシュメモリは、電源を切っても記憶内容が保持される不揮発性メモリで、電気的に書き換えができる
正解は「フラッシュメモリは、電源を切っても記憶内容が保持される不揮発性メモリで、電気的に…」。フラッシュメモリは電源を切っても内容が消えない不揮発性メモリであり、電気的な書き換えができるため、USBメモリなどに使われる。「SRAMは、コンデンサに蓄えた電荷で情報を記憶するため、一定時間ごとにリフレッシ…」は誤り。コンデンサの電荷で記憶してリフレッシュが必要なのはDRAMであり、SRAMの説明ではない。「DRAMは、フリップフロップ回路で情報を記憶するため、リフレッシュ動作が不要で高…」は誤り。フリップフロップ回路で記憶しリフレッシュが不要なのはSRAMであり、DRAMの説明ではない。「マスクROMは、使用者が電気的に何度でも内容を書き換えることができる不揮発性メモリである」は誤り。マスクROMは製造時に内容が固定され、使用者が書き換えることはできない。
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