パワー半導体素子に関する記述として適切なものを選べ

正解：a. IGBT は、入力側が MOSFET 構造で電圧駆動できる一方、出力側はバイポーラ形で飽和電圧が低く、中大容量のインバータに多用される

正解は「IGBT は、入力側が MOSFET 構造で電圧駆動できる一方、出力側はバイポー…」。IGBT は、MOSFET の電圧駆動の容易さとバイポーラトランジスタの低いオン電圧を兼ね備え、中大容量のインバータに広く使われる。「IGBT は電流駆動形の素子であり、オン状態を保つには大きなベース電流を連続して…」は誤り。IGBT は電圧駆動素子で、ゲート電圧で制御する。「GTO サイリスタは、ゲート信号でターンオンだけができ、ターンオフには主回路電流…」は誤り。GTO サイリスタはゲートの逆電流でターンオフもできる。「パワーMOSFET は一般に IGBT よりスイッチング速度が遅いため、高周波の…」は誤り。パワーMOSFET は高速スイッチングに適し、高周波用途に向いている。