問題n形半導体に関する記述として、正しいものはどれか。
- a多数キャリアは自由電子で、5価の元素を不純物として加えて作られる
- b多数キャリアは正孔で、5価の元素を不純物として加えて作られる
- c多数キャリアは自由電子で、3価の元素を不純物として加えて作られる
- d多数キャリアは正孔で、3価の元素を不純物として加えて作られる
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正解:a. 多数キャリアは自由電子で、5価の元素を不純物として加えて作られる
正解は「多数キャリアは自由電子で、5価の元素を不純物として加えて作られる」。n形半導体は、シリコンなどの真性半導体に5価の元素(リンなど)を加えたもので、余った電子が自由電子となり多数キャリアになる。「多数キャリアは正孔で、5価の元素を不純物として加えて作られる」は誤り。5価の元素を加えると自由電子が多くなるので、多数キャリアを正孔とする組合せが誤り。「多数キャリアは自由電子で、3価の元素を不純物として加えて作られる」は誤り。3価の元素(ホウ素など)を加えて作るのはp形半導体であり、n形ではない。「多数キャリアは正孔で、3価の元素を不純物として加えて作られる」は誤り。多数キャリアが正孔で3価の元素を加えて作られるのはp形半導体の説明である。
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